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观赏甘薯盆栽栽培方法
作者:佚名    专利技术来源:本站原创    点击数:414    更新时间:2019/4/17           ★★★
摘要: 本发明公开了一种观赏甘薯盆栽栽培方法,旨在解决甘薯盆栽观赏性低的技术问题。该方法为:选择具有特殊叶形或叶色的甘薯品种;采用陶土花盆,所述花盆的盆口直径为30~35cm,盆底直径为15~20cm,花盆高度为25~30cm;盆栽基质由质量比为1:0.5~1的草炭土或泥炭土和蛭石或珍珠岩组成;甘薯苗种植前,对薯苗进行消毒和生根处理;甘薯苗栽种后遮阴;一周后摘除老叶...   查看全部>>
  • 专利类型:
    发明专利
  • 申请/专利号:
    CN201811268644.3
  • 申请日期:
    2018-10-29
  • 公开/公告号:
    CN109042273A
  • 公开/公告日:
    2018-12-21
  • 主分类号:
    A01G31/00(2018.01)I  A  A01  A01G  A01G31 
  • 分类号:
    [A01G31/00, A01G24/28, A01G24/15, A01G24/10]
  • 申请/专利权人:
  • 发明/设计人:
  • 主申请人地址:
    450002 河南省郑州市金水区花园路116号
  • 专利代理机构:
    河南科技通律师事务所 41123
  • 代理人:
    张晓辉%樊羿
  • 国别省市代码:
    河南;41
  • 主权项:
    1.一种观赏甘薯盆栽栽培方法,包括以下步骤:(1)选择具有一定叶形或/和叶色的甘薯品种;(2)采用陶土花盆,所述花盆的盆口直径为30~35cm,盆底直径为15~20cm,花盆高度为25~30cm,盆地有3~5个直径为0.8~1.2cm的出水孔;(3)盆栽基质由质量比为1:0.5~1的草炭土或泥炭土和蛭石或珍珠岩组成,所述基质中氮:磷:钾质量比为1~1.5 : 2~2.5 : 1~1.5;(4)甘薯苗种植前,对薯苗进行消毒和生根处理;(5)甘薯苗栽种后,遮阴2~3天;一周后摘除老叶;两周后,保持整盆生长的均匀的方式修剪薯苗;控制温度为18~30℃,光照为10~12小时,空气湿度50~55%,土壤湿度60~65%;每周喷洒一次浓度为0.3~0.5%的磷酸二氢钾溶液;(6)成活四个月后,每周对叶面喷洒一次营养液;所述营养液由0.02~0.04mg/ml的IAA、0.2~0.3 mg/ml的磷酸铵、0.1~0.15 mg/ml的硫酸铵、1~2 mg/ml的硝酸钾、0.1~0.15mg/ml的硝酸铵、0.01~0.02 mg/ml的硫酸亚铁、0.001~0.002mg/ml的硫酸锌组成;(7)防治虫害。
  • 法律状态:

 

 

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