基于小波变换直方图的短波红外焦平面非均匀性校正算法

本发明公开了基于小波变换直方图的短波红外焦平面非均匀性校正算法，包括：(1)建立短波红外焦平面阵列响应的统计模型；(2)通过短波红外焦平面阵列的时域直方图表示响应密度函数；(3)使用单尺度的中值直方图规定非均匀校正算法将单个探测单元的响应密度函数规定化到邻域探测元响应密度函数的中间值，从而实现非均匀校正；(4)短波红外焦平面阵列的原始图像基于正交小波变换分解的多尺度校正。

专利类型：

发明专利

申请（专利）号：

CN201410491278.3

申请日期：

2014年9月24日

公开(公告)日：

2015年1月7日

公开(公告)号：

CN104268870A

主分类号：

G06T7/00,G,G06,G06T,G06T7

分类号：

G06T7/00,G,G06,G06T,G06T7,G06T7/00

申请（专利权）人：

北京津同利华科技有限公司

发明（设计）人：

周津同

主申请人地址：

102200 北京市昌平区科技园区超前路35号北京化工大学科技园综合楼301、302、303、304室

国别省市代码：

北京;11

主权项：

基于小波变换直方图的短波红外焦平面非均匀性校正算法，其特征在于，包括：(1)建立短波红外焦平面阵列响应的统计模型；(2)通过短波红外焦平面阵列的时域直方图表示响应密度函数；(3)使用单尺度的中值直方图规定非均匀校正算法将单个探测单元的响应密度函数规定化到邻域探测元响应密度函数的中间值，从而实现非均匀校正；(4)短波红外焦平面阵列的原始图像基于正交小波变换分解的多尺度校正。

法律状态：

公开，公开，公开，实质审查的生效，实质审查的生效，实质审查的生效，实质审查的生效，著录事项变更，专利申请权、专利权的转移，专利申请权、专利权的转移，专利申请权、专利权的转移，著录事项变更，著录事项变更，著录事项变更，专利申请权、专利权的转移